STN8882D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/3.8mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STN8882D 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为大电流、低阻抗应用研发。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，并能在极为优异的3.8mR导通电阻(RD(on))下，承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景，凭借其卓越的电流承载能力和高效能表现，成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体组件。
