IPD050N03LG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/3.8mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPD050N03LG 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下，能够承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电机驱动、快速充电器等领域，凭借其出色的电流处理能力和高能效表现，成为提升系统性能、降低能耗的理想半导体元件。
