PSMN4R3-30BL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/3.8mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款MOS管型号为PSMN4R3-30BL ，采用高效能的N沟道设计，封装形式为紧凑型TO-252-2L，适合各类电路板空间需求。其核心参数出色，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID可达100A，确保稳定工作流。尤为突出的是，其导通电阻仅为3.8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率，是电源转换、电机驱动等应用的理想选择。
