NTD5867NLT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD5867NLT4G N沟道MOS管采用经济高效的TO-252-2L封装，适用于各类电源控制和电机驱动应用。器件规格强大，具备60V的额定电压VDSS，能稳定处理高达20A的连续电流ID。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为27mΩ，旨在提升能源转换效率，降低系统损耗。这款MOS管凭借其卓越的性能表现，广泛应用于电源转换器、马达驱动、开关调节器等领域，是您构建高性能电子设备的得力助手。
