RFD16N05LS_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号RFD16N05LS 的N沟道MOS管采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高功率密度和效率优化设计。该器件支持60V的额定电压VDSS，具备20A的连续电流ID承载能力，确保在高压大电流系统中稳定运行。其内部导通电阻RD(on)低至27mΩ，有助于提高能源利用率并减少热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是实现高效节能电子设备的理想半导体元件。
