AUIRLR024N_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AUIRLR024N 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为高要求应用设计。在60V的最大漏源电压(VDSS)条件下，能持续输出20A的漏极电流(ID)，特别适用于高压大电流场景。27mΩ的低导通电阻确保了系统高效运行，降低能耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是构建高质量、节能电子系统的理想半导体元件。
