DMN6068LK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN6068LK3 N沟道MOS管采用紧凑型TO-252-2L封装，具备优越的电气性能。其额定最大漏源电压(VDSS)为60V，能够承受高电压工作环境，同时提供高达20A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动力。导通电阻仅27mΩ，有效提升系统工作效率，减少不必要的能量损耗。该器件适用于各类电源转换、电机控制应用，是您构建高效、节能电子系统的理想选择。
