FDD1600N10ALZ_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD1600N10ALZ N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，为100V高电压、中等电流应用量身打造。器件提供100V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达15A的连续漏极电流(ID)，确保在高压电路中稳定可靠运行。其导通电阻RD(on)为100mR，虽然并非超低电阻，但足以满足许多通用电源转换、负载开关及基础电机驱动的需求，是兼顾性能与成本效益的理想半导体元件。
