AOD424_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD424 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适用于各类中高功率应用。器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理高达80A的连续漏极电流(ID)，而其出色的导通电阻仅为3.5mΩ(RD(on))，确保在高电流条件下的低损耗与高效能表现。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景，是提升系统性能的关键半导体组件。
