AOD424G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD424G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用常见的TO-252-2L封装，适用于各种中高功率电子设备。该器件具备20V的漏源电压(VDSS)，可承载高达80A的连续漏极电流(ID)，并在导通状态下展现卓越的低电阻特性，仅3.5mΩ(RD(on))，有效降低系统损耗，提高能效。广泛应用在电源转换、电机驱动控制、大电流开关等领域，是提升系统性能和节能性的理想半导体元件。
