IRLR6225_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/3.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR6225 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，能够支持高达80A的连续漏极电流(ID)，并具备业界领先的3.5mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流条件下实现极低的功率损耗和卓越的能效表现。广泛应用于开关电源、电动车充电系统等领域，是提升系统性能和节能效果的理想选择。
