AOD21357_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD21357 P沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装，具有优良的散热性能与广泛的适用性。器件工作电压VDSS高达30V，可承载80A的强劲连续漏极电流ID，充分展现其强大的电流处理能力。特别值得关注的是，其内部导通电阻RD(on)仅为6.5mΩ，这使得它在运行过程中能够显著减少功率损耗，提高系统能效。AOD21357 MOS管适用于各类高压大电流应用领域，如电源转换、电机驱动等，是高效率、低功耗半导体解决方案的理想选择。
