IPD80P03P4L-07_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/8.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPD80P03P4L-07 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具有优秀的散热性能和高可靠性。该器件工作电压VDSS高达30V，可持续提供70A的漏极电流ID，满足大电流应用需求。其亮点在于仅8mΩ的导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升系统效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是针对高功率密度和低电阻应用的理想半导体解决方案。
