AOD4186_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/11.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装，具备优良的散热性能和兼容性。该器件提供高达40V的额定电压VDSS，以及50A的连续漏极电流ID，专为高功率应用设计。其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on)，显著降低功耗并提升系统能效。广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件，为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。
