FQD13N10L_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FQD13N10L N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，适用于100V高电压环境下的中等电流应用。该器件具有100V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，在高电压系统中展现出稳定可靠的性能。其导通电阻RD(on)为100mR，虽非超低阻值，但在满足中等电流需求的同时，保证了良好的性价比。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理等方面，是追求综合性能与成本控制的理想半导体器件。
