FQD20N06_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FQD20N06 N沟道MOS管采用紧凑型TO-252-2L封装，具有优良的散热性能和安装便利性。其主要参数包括60V的最大漏源电压(VDSS)，可支持高达20A的连续漏极电流(ID)，充分满足高功率需求。值得一提的是，该器件导通电阻低至27mΩ，有助于提升系统效率，降低功耗。广泛应用于电源转换器、电机驱动器等领域，是高效能、高稳定性半导体解决方案的理想之选。
