SM454AT9RL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/25.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SM454AT9RL 是一款高性能N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，方便用户在多样化的电路设计中灵活应用。该器件具有40V的最大漏源电压(VDSS)，可以持续提供高达20A的漏极电流(ID)，并且在导通状态下展现出极低的25mΩ导通电阻(RD(on))，从而确保高效能和低功耗表现。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场合，以其卓越的电气性能满足您的高级电路控制需求。
