AM9569DA_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/25.0A 参数4：RDON/31.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AM9569DA 是一款P沟道MOSFET，采用常见的TO-252-2L封装形式，适用于各类高功率电子设备。器件工作电压VDSS高达40V，可承载最大25A的漏极电流ID，体现了其优秀的电流处理性能。导通电阻RD(on)为31mΩ，有助于降低功耗并提升整体电路效率。广泛应用于电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等场景，AM9569DA MOS管是您设计高效率、低损耗电路的理想选择。
