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FQD7P06_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:2500圆盘 参数1:P沟道 参数2:VDSS/60.0V 参数3:ID/10.0A 参数4:RDON/125.0mR 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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FQD7P06 是一款采用TO-252-2L封装的P沟道MOS管,专为高效能电力电子应用设计。该器件具有60V的高额定电压VDSS,可稳定处理10A连续电流,且其导通电阻RD(on)低至125mR,从而有效减小功率损耗,提升系统整体能效。凭借优良的电气参数和可靠性能,FQD7P06 广泛应用在电源转换、马达驱动以及各类中低压开关电路中,是您的电路设计不可或缺的理想半导体元件。



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