HUF76609D3S_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
HUF76609D3S N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，适用于100V高电压系统的中等电流应用。该器件提供100V的最大漏源电压(VDSS)和15A连续漏极电流(ID)，确保在高压环境下稳定高效运作。导通电阻RD(on)为100mR，虽非超低阻值，但在相应电流等级下仍能保持良好效能比。常用于开关电源、电机驱动、电池管理等场景，是寻求高性价比半导体解决方案的理想选择。
