IRFR024NPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR024NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，封装采用业界流行的TO-252-2L，具有良好的散热性能和紧凑尺寸。该器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于高压大电流应用场景。其内部导通电阻仅为27mΩ，有效提升了系统效率并降低了功耗。广泛运用于电源转换、电机驱动等电子设计中，是您寻求高效、可靠半导体解决方案的理想选择。
