IRFR110TRPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR110TRPBF N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，适用于100V高电压系统中的中等电流应用。器件具有高达100V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，确保在高压条件下稳定工作。尽管导通电阻RD(on)为100mR，但在对应的电流负载下仍能保持适宜的能效。该MOS管被广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师在设计过程中寻求性能与成本平衡的优选半导体元件。
