IRLR014TRPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR014TRPBF 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，以其紧凑、高效的优势适用于各类电子设计。该器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，能稳定提供20A的漏极电流(ID)，适用于高压大电流场景。导通电阻低至27mΩ，有效提高系统能效并降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等行业，是打造高性能、低损耗电子系统的理想半导体器件。
