IRLR024NPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR024NPBF 是一款高性能N沟道MOS管，采用行业标准TO-252-2L封装，结构紧凑且散热良好。该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID)，能有效应对高压大电流应用场景。其导通电阻低至27mΩ，显著提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计，是高功率、高效能电子设备的优选组件。
