IRLR120NPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR120NPBF N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为100V高电压环境下的中等电流应用设计。器件具备高达100V的漏源电压(VDSS)和15A连续漏极电流(ID)的能力，确保在高电压系统中的稳定运行。导通电阻RD(on)为100mR，尽管电阻略高，但依然可在适度电流条件下提供可靠的功率转换性能。适用于电源转换、电机控制、电池管理系统等场景，是寻求高性价比解决方案的理想选择。
