MDD1951RH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MDD1951RH N沟道MOS管采用坚固耐用的TO-252-2L封装形式，专为高功率应用设计。该器件具有60V的最大漏源电压(VDSS)以及卓越的20A连续漏极电流(ID)，性能强劲稳定。其导通电阻低至27mΩ，有助于减少能量损耗并提高整体系统效能。本产品广泛应用于开关电源、马达驱动等领域，是高端电子设备中不可或缺的高性能MOS管组件。
