MTD3055V_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MTD3055V 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，具有出色的散热性能和空间利用率。在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，适用于高功率、大电流应用场景。其导通电阻仅为27mΩ，有助于提升系统整体能效并减少功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是实现高效、节能电子设备设计的理想半导体组件。
