NTD20N06_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD20N06 N沟道MOS管采用了紧凑高效的TO-252-2L封装，适配现代电子设备的小型化需求。该器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可持续提供20A的漏极电流(ID)，展现卓越的大电流处理能力。其导通电阻RD(on)低至27mΩ，大大提升了电源转换效率，减少了不必要的能量损耗。广泛应用于开关电源、电机驱动等领域，是高性能、高性价比的半导体解决方案。
