NTD20N06L_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD20N06L N沟道MOS管采用小型化TO-252-2L封装，适合空间有限的设计需求。其关键特性包括60V的最高漏源电压(VDSS)和20A的强大连续漏极电流(ID)，确保在高电压、大电流条件下仍保持卓越性能。更值得关注的是，导通电阻仅有27mΩ，极大地提高了系统能效并减小了热损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、电机控制等多种场合，是高性价比且性能可靠的电子元件优选。
