NTD2955_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/10.0A 参数4：RDON/125.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD2955 是一款采用TO-252-2L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度和高效能电子设备设计。具备60V的最大耐压值(VDSS)，可承载高达10A的连续电流(ID)，并且在常态下导通电阻仅125mR(RD(on))，有效减少功率损耗，增强系统能效。此款MOS管结构紧凑，性能优越，是理想的电源开关、转换器以及各类中低压电路的理想选择。
