NTD3055-150_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD3055-150 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，具有卓越的散热性能和空间节省设计。在60V的最大漏源电压(VDSS)下，能稳定传输20A的漏极电流(ID)，适用于高电压、大电流应用场景。27mΩ的低导通电阻有效提升了整体系统能效，降低了功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等众多领域，是工程师构建高效、节能电路的理想半导体组件。
