DMN4026SK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN4026SK3 是一款专业级N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，专为高功率应用和优良散热设计。此器件的核心优势在于其强大的电气参数额定电压VDSS高达40V，连续电流ID可承载至30A，表现出色的电流处理能力。同时，导通电阻RD(on)低至18mΩ，有效降低系统能耗，提升整体工作效率。无论是电源转换、电机驱动还是其它大电流应用场景，DMN4026SK3 都是您的优质半导体解决方案。
