FDD8647L_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD8647L 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热封装TO-252-2L，专为高电流应用设计。器件具备40V的高额定电压VDSS，并能支持高达60A的连续电流ID，展现了其卓越的功率处理能力。亮点在于其超低导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ，大大提升了电路能效，有效减小了功耗。FDD8647L 无疑是电源转换、电机控制等领域中追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。
