FDD6635_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD6635 是一款强大高效的N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为处理高电流应用而设计。这款器件拥有40V的高额定电压VDSS，能稳定承载60A的连续电流ID，充分体现了其卓越的电力传输性能。尤其引人注目的是，其导通电阻RD(on)仅为7.7mΩ，从而大幅降低能耗并提升系统效率。FDD6635 是适用于电源转换、电机驱动等高要求场景的理想半导体解决方案。
