PSMN7R6-60BS_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PSMN7R6-60BS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热封装TO-252-2L，专为大电流应用设计。器件拥有60V的高额定电压VDSS，以及惊人的80A连续电流ID承载能力，充分彰显卓越的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mΩ，确保在大电流环境下依然能有效降低功耗、提升系统能效。
