NVD5863NL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NVD5863NL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为处理大电流设计。此器件具有60V的高耐压VDSS，可承受高达80A的连续电流ID，体现出其出色的功率处理能力。其导通电阻RD(on)低至6mΩ，极大程度地减少了电能损耗，提升了整体能效。
