DMNH6021SK3Q_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMNH6021SK3Q 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。该器件拥有60V的额定电压VDSS和50A的连续电流ID，展现出强大的电力处理能力。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，确保在高电流下也能有效降低功耗，提高系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高功率、高效能电路的理想半导体组件。
