NTD5865NL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD5865NL 是一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，便于PCB布局设计。该器件拥有强大的电气参数最大漏源电压VDSS为60V，连续漏极电流ID高达50A，而在导通状态下，其低至15mR的导通电阻，极大地优化了系统效率并减小功率损耗。本产品特别适用于开关电源、DC/DC转换器以及电机控制等领域的高效能电路设计。
