IRFU4105ZPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFU4105ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用通用型TO-252-2L封装，适用于各类电源管理和功率转换应用。其关键参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V，能够稳定承载50A的漏极电流(ID)，尤其引人注目的是其低至15mΩ的导通电阻(RD(on))，大大提升了系统工作效率并降低了能量损耗。
