STD60NF06T4_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD60NF06T4 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适配广泛电路设计需求。该器件具有60V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达50A的连续漏极电流(ID)，并展现出极低的15mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流操作下仍保持高效率、低损耗。这款MOS管适用于各类高功率应用场景，如电源转换、电机驱动、逆变器等，为您的设备提供强劲、稳定的电流控制解决方案。
