IPD30N06S2L-23_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET，封装类型为TO-252-2L，专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)，且拥有优秀的导通特性，导通电阻仅为15mR(RD(on))，从而大大减少了功率损耗，提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。
