NTD3055L170_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD3055L170 是一款高性能N沟道MOSFET，采用节省空间的TO-252-2L封装，专为高功率、高效能应用设计。在60V的最大漏源电压(VDSS)条件下，可稳定传输20A的漏极电流(ID)，表现出色。导通电阻仅为27mΩ，有效提升系统效率，减少能耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等多个领域，是工程师构建高效、可靠电子系统的得力助手。
