FDD3682_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD3682 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适用于高功率应用。该器件具有100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载能力，尤其适合于电源转换、电机驱动等大电流领域。其导通电阻低至35mΩ，确保在高负荷运行条件下仍保持卓越的能效和散热性能。选择FDD3682 MOS管，即选择了强大稳定、高效节能的半导体解决方案。
