IRFR3410PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR3410PBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。它具备100V的高击穿电压和高达30A的连续电流处理能力，确保在严苛条件下的稳定运行。该器件导通电阻仅为35mΩ，有效降低功率损耗，提升系统能效，广泛应用于电源转换器、电机驱动、逆变器等强电流控制领域，是实现高效、可靠电子设计的理想选择。
