RD3P200SNFRATL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RD3P200SNFRATL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，适用于高功率、大电流应用场景。该器件具备100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载力，确保在电力转换、电机驱动等领域的稳定运作。其引人注目的35mΩ导通电阻使得在大电流工作状态下的能量损耗降至最低，从而提高整体能效。这款MOS管是实现高效、节能电子系统的首选元件。
