ST36N10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
ST36N10D 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典的TO-252-2L封装，专为大电流、高电压应用设计。该器件提供100V的耐压能力和30A的连续电流处理性能，尤其适合于电源转换、马达驱动等高强度作业环境。其导通电阻低至35mΩ，有效降低了功耗并提升了整体系统效率。选择ST36N10D MOS管，意味着选择了稳定、高效、大电流应用的最佳半导体解决方案。
