IPD30N10S3L34_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPD30N10S3L34 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用定制。该器件可在100V的高电压下工作，提供30A的持续电流处理能力，特别适合于电源转换、电机驱动等严苛环境。其出色的35mΩ导通电阻特性大大降低了功率损耗，实现了卓越的系统能效。选择IPD30N10S3L34 MOS管，即为您的设计注入澎湃动力与高效节能的灵魂。
