NTD6415ANLT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
NTD6415ANLT4G是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型TO-252-2L封装，适用于高功率、大电流应用场合。该器件具备100V的高耐压和30A的连续电流处理能力，特别适合于电源转换、电机驱动等高要求领域。其导通电阻仅为35mΩ，有效减少了功率损耗，提高了整体能效。NTD6415ANL MOS管是您设计高效、节能电子系统的理想之选。
