FDD3860_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/35.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD3860 是一款高性能N沟道MOSFET，采用常见的TO-252-2L封装，特别适合于高电压、大电流应用场景，如电源转换、电机驱动等。该器件能承受100V的工作电压，并支持30A的连续电流，具有出色的电流处理能力。其导通电阻低至35mΩ，有效降低功率损耗，提升系统能效。选择FDD3860 MOS管，将为您带来更加稳定、高效的电路设计体验。
