DMN3016LK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3016LK3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适用于高功率应用场合。器件具有出色电气参数工作电压VDSS高达30V，可承载高达50A的连续电流ID，尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为7.5mR，确保了在大电流下的高效能与低热损。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器和电池管理系统等领域，是优化系统能效、增强可靠性的理想半导体组件。
